信息摘要：
（二）深能级发光 III族/V族化合物制作的LED产品，蓝绿光LED、紫光LED、UV LED等芯片光谱中，黄光带是一直存在的，其波峰在550nm左右，强度很低，但是人眼对550nm波长的感官最强烈，因此
（二）深能级发光
III族/V族化合物制作的LED产品，蓝绿光LED、紫光LED、UV LED等芯片光谱中，黄光带是一直存在的，其波峰在550nm左右，强度很低，但是人眼对550nm波长的感官最强烈，因此黄光带很容易被人眼捕捉到。UVC产品工作波长肉眼不可见，因此黄光带会更加容易被捕捉到，使产品呈现出微弱的黄光。黄光带的来源一直没有明确的定论。
肉眼感知的黄光强度与芯片的亮度没有绝对的对应关系。芯片的发光越强，黄光带受到短波长激发而发出的光线也越强；同时黄光带吸收掉过多的工作波长。
（重点）：如果黄光带强度较高，芯片发光颜色会直接显示黄色；如果黄光带强度较低，远低于光谱中的蓝光和紫光部分，那么黄光会与蓝光紫光混合发出白色的光线。
以上这种因光谱导致的发光颜色差异大都可以体现在主波长数据上，发光颜色为紫色的芯片主波长应在430nm以下，发光颜色为蓝色的芯片主波长应在450nm以上，发光颜色偏黄的主波长可能达到500nm。
很多研究将黄光带的来源归咎于深能级，而其中Ga空位、Mg、C等受到关注最多[1,2]。比如C污染，因生长过程中使用的金属源为有机物，因此不可避免会有C原子进入材料中，而这种C原子或与N原子结合，或进入间隙，形成C深能级，提供了黄光带的发光源。通过二次离子质谱（SIMS）和X射线能谱（XPS）测试分析可以看出，材料中C的密度还是很高的，达到1E17cm-3。通常情况下，C比例较大的材料，黄光带更加明显。
此外，LED中亦常见与Mg掺杂有关的蓝光带发光，一些研究表明p-GaN中Mg的深能级位于GaN导带底-0.2eV位置，因此光谱在390nm左右，因此会使UV LED芯片，尤其是UVC LED芯片呈现出蓝紫色的光色。
除此之外，还有一些杂质、间隙等缺陷[3-5]，如Fe杂质、Ga间隙原子、H络合物、有机物分子等，也包括一部分C间隙或者络合物，这些缺陷中大部分是常规的测试分析难以捕捉到的，但同时也是MOCVD生长过程中无法避免的。研究表明，在GaN材料中，这些缺陷形成了两个较为明显的深能级带，一个能级位于GaN导带底-0.5eV左右的位置，发光波峰在420nm-440nm之间。这种缺陷对发光颜色的影响较为明显，UV LED芯片受到这种深能级发光影响，发光颜色会呈现出蓝紫色或蓝色。另一个则位于黄光带光谱位置，被认为是引起黄光带的原因之一。
