芯片的问题不比外延少，主要是正装芯片工艺已经无法满足UVLED的要求了，尤其是380纳米以下的UVLED芯片，目前UVA最主流的技术是垂直结构芯片，由于垂直结构芯片的发光面在N型材料，可以有效的降低光被吸收的问题，另外垂直结构的光型稳定，大部分都是轴向光，几乎没有侧向光，辐射效率高，在固化制程上有比较稳定与均匀的光分布。目前垂直结构的芯片有硅衬底化学剥离技术与蓝宝石衬底激光剥离技术，由于两种工艺的良率较低，工艺较复杂所以成本都比较高，单价是目前正装芯片的3到5倍价格。
 

而针对UVC结构的280nm与265nm，目前主流的技术是倒装结构，关键问题还是如何降低氮化镓对UVC的光吸收以及良好的欧姆反射电极，而与N型铝镓氮合适的欧姆接触电极也是非常重要的。

下图是UVLED三种结构的比较示意图，由性能与成本来看，385nm以上的波长使用便宜的正装结构与性能优异的垂直结构各具优势，375nm以下波长的UVA适合垂直结构，由于有较好的散热路径，UVC的波段适合倒装结构，这也是目前市场上为什么385nm以上的器件很便宜，但是波长越短的UV，价格越来越贵的原因之一吧。